DRAM-Speicher werden hauptsächlich in Computern oder Mobiltelefonen eingesetzt. IBM hat nun den weltweit kleinsten solchen Speicher entwickelt. Beteiligt waren auch Wissenschaftler des IBM-Forschungslabors in Rüschlikon.
Dynamic Random Access Memory (DRAM) kommen in Computern, Mobiltelefonen, tragbaren Geräten oder auch in Videospielkonsolen vor. Es handelt sich um einen Verbund aus elektrisch aufgeladenen Zellen, in denen schnell zugängliche Daten in der Form von 0 und 1 gespeichert werden.
Forscher von IBM haben nun die schnellste DRAM-Speicherzelle der Welt gebaut, wie aus einer Medienmitteilung hervorgeht. Sie hat eine Gate-Länge von 14 Nanometern. Ausserdem zeichnet sich die Zelle den Angaben zufolge durch einen geringen Stromverbrauch aus. Sie eignet sich insbesondere für den Einsatz in mobilen Geräten oder als Cache-Speicher.
An der Entwicklung der neuen DRAM-Speicherzelle waren auch Forschende im IBM-Forschungslabor in Rüschlikon beteiligt. Dort wurden unter anderem die Transistoren hergestellt, die dann an der Universität Granada in Spanien elektrisch charakterisiert wurden. Das gesamte Projekt wurde von der EU gefördert.
Das IBM-Forschungszentrum in Rüschlikon wurde 1956 als erstes Labor von IBM ausserhalb der USA gegründet. Heute ist es einer von zwölf IBM-Standorten mit einem Forschungslabor. Das Spektrum der Forschungsaktivitäten reicht von der Nanotechnologie über die Entwicklung künftiger Generationen von Computersystemen und Speichertechnologien bis hin zu Cloud Computing, Datenschutz, Supercomputing und Simulation, Big-Data-Analytik und Cognitive Computing. ssp
